制造商型号： | CSD19534Q5AT |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 100V 50 8SON |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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TI(德州仪器) CSD19534Q5AT
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CSD19534Q5AT 中文资料
数据手册PDF
CSD19534Q5AT 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 15.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.4 V
栅极电荷 17 nC
耗散功率 63 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导（Min） 47 S
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 9 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 4.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 24 mg
CSD19534Q5AT 引脚图与封装图
CSD19534Q5AT引脚图
CSD19534Q5AT封装图
CSD19534Q5AT封装焊盘图
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 250 | 6.434927 | 1608.73 |
| 500 | 5.588139 | 2794.07 |
| 1250 | 4.741478 | 5926.85 |
| 2500 | 4.50441 | 11261.02 |
| 6250 | 4.335041 | 27094.01 |
品牌其他型号
CSD19534Q5AT品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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