制造商型号: | NTMFD4C85NT3G |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 30V 8DFN |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ON(安森美) NTMFD4C85NT3G
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NTMFD4C85NT3G 中文资料
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NTMFD4C85NT3G 规格参数
属性
参数值
制造商型号
NTMFD4C85NT3G
制造商
ON(安森美)
商品描述
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 功能
Standard
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
15.4A, 29.7A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
3mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
32nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1960pF @ 15V
功率 - 最大值
1.13W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
8-DFN (5x6)