制造商型号： | ALD1106SBL |
制造商： | ALD |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ALD ALD1106SBL
图像仅供参考
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ALD1106SBL 中文资料
数据手册PDF
ALD1106SBL 规格参数
关键信息
制造商 Advanced Linear Devices
商标 Advanced Linear Devices
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 4 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 4.8 mA
漏源电阻 350 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 -
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Quad
晶体管类型 4 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 338 mg
其它
发货限制：
ALD1106SBL 引脚图与封装图
ALD1106SBL引脚图
ALD1106SBL封装图
ALD1106SBL封装焊盘图
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 37.828262 | 37.83 |
| 10 | 33.980214 | 339.80 |
| 100 | 27.840296 | 2784.03 |
| 500 | 23.699667 | 11849.83 |
| 1000 | 19.987671 | 19987.67 |
品牌其他型号
ALD1106SBL品牌厂家：ALD
，所属分类： 射频晶体管
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