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IXYS(艾赛斯.力特) IXYH50N65C3D1

IXYS(艾赛斯.力特) IXYH50N65C3D1
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

IXYH50N65C3D1

制造商:

IXYS (艾赛斯.力特)

产品类别:

晶体管-IGBT

商品描述:

IGBT

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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客服:

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IXYH50N65C3D1 中文资料

IXYH50N65C3D1 规格参数

关键信息

制造商 IXYS

商标 IXYS

技术类参数

技术 Si

配置 Single

击穿电压(集电极-发射极) 650 V

饱和电压 1.73 V

栅极/发射极最大电压 20 V

在25 C的连续集电极电流 132 A

耗散功率 600 W

集电极连续电流(Max) 250 A

栅极—射极漏泄电流 100 nA

物理类型

产品种类 IGBT 晶体管

安装风格 Through Hole

产品类型 IGBT Transistors

库存: 510

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:咨询客服 总价:咨询客服
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