制造商型号: | IXFX64N60P |
制造商: | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXFX64N60P
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IXFX64N60P 中文资料
数据手册PDF
IXFX64N60P 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 64 A
漏源电阻 96 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 200 nC
耗散功率 1.04 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 24 ns
正向跨导(Min) 63 S
上升时间 23 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 79 ns
典型接通延迟时间 28 ns
外形参数
高度 21.34 mm
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 156.309682 | 156.31 |
10 | 144.168151 | 1441.68 |
100 | 123.108533 | 12310.85 |
500 | 111.769288 | 55884.64 |
品牌其他型号
IXFX64N60P品牌厂家:IXYS
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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