制造商型号： | IXTA200N055T2 |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 55V 200A TO-263 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTA200N055T2
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IXTA200N055T2 中文资料
数据手册PDF
IXTA200N055T2 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 200 A
漏源电阻 3.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 109 nC
耗散功率 360 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
正向跨导（Min） 50 S
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 49 ns
典型接通延迟时间 26 ns
外形参数
高度 4.83 mm
长度 9.65 mm
宽度 10.41 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 TrenchT2 Power MOSFET
单位重量 1.600 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 16.088604 | 16.09 |
| 10 | 14.467826 | 144.68 |
| 25 | 13.676505 | 341.91 |
| 100 | 10.940251 | 1094.03 |
| 250 | 10.332458 | 2583.11 |
品牌其他型号
IXTA200N055T2品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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