制造商型号： | IXFH42N50P2 |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 500V 42A TO247 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXFH42N50P2
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IXFH42N50P2 中文资料
数据手册PDF
IXFH42N50P2 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 42 A
漏源电阻 145 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 92 nC
耗散功率 830 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 PolarP2 HiPerFET
单位重量 6 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 68.225868 | 68.23 |
| 10 | 61.64279 | 616.43 |
| 100 | 51.033907 | 5103.39 |
| 500 | 44.439606 | 22219.80 |
| 1000 | 38.705418 | 38705.42 |
品牌其他型号
IXFH42N50P2品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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