制造商型号: | SIZ346DT-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8-POWER33 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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SILICONIX(威世) SIZ346DT-T1-GE3
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SIZ346DT-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIZ346DT-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 17 A, 30 A
漏源电阻 11.5 mOhms, 28.5 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.2 V, 2.4 V
栅极电荷 6.6 nC, 10 nC
耗散功率 16 W, 16.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 8 ns
正向跨导(Min) 17 S
上升时间 15 ns, 40 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 7 ns, 17 ns
典型接通延迟时间 7 ns, 8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 143.050 mg
库存: 5950
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |