制造商型号： | SIA907EDJT-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6L |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SIA907EDJT-T1-GE3
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SIA907EDJT-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIA907EDJT-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4.5 A
漏源电阻 47 mOhms, 47 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 7.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns, 10 ns
正向跨导（Min） 11 S, 11 S
上升时间 15 ns, 15 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns, 30 ns
典型接通延迟时间 13 ns, 13 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIA907EDJT-GE3
单位重量 28 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 1.290075 | 3870.23 |
| 6000 | 1.224478 | 7346.87 |
| 9000 | 1.137015 | 10233.14 |
| 30000 | 1.110748 | 33322.44 |
品牌其他型号
SIA907EDJT-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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