制造商型号： | ALD1101SAL |
制造商： | ALD |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ALD ALD1101SAL
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ALD1101SAL 中文资料
数据手册PDF
ALD1101SAL 规格参数
关键信息
制造商 Advanced Linear Devices
商标 Advanced Linear Devices
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 40 mA
漏源电阻 75 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导（Min） 0.01 S
晶体管类型 2 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 74 mg
其它
发货限制：
ALD1101SAL 引脚图与封装图
ALD1101SAL引脚图
ALD1101SAL封装图
ALD1101SAL封装焊盘图
库存： 47
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 62.52148 | 62.52 |
| 10 | 56.170483 | 561.70 |
| 25 | 53.101247 | 1327.53 |
| 100 | 42.48001 | 4248.00 |
| 250 | 40.120009 | 10030.00 |
| 500 | 37.760009 | 18880.00 |
| 1000 | 32.332007 | 32332.01 |
| 2500 | 31.860007 | 79650.02 |
| 5000 | 29.028006 | 145140.03 |
品牌其他型号
ALD1101SAL品牌厂家：ALD
，所属分类： 射频晶体管
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