制造商型号： | ALD1101PAL |
制造商： | ALD |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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客服： | |
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ALD ALD1101PAL
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ALD1101PAL 中文资料
数据手册PDF
ALD1101PAL 规格参数
关键信息
制造商 Advanced Linear Devices
商标 Advanced Linear Devices
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 40 mA
漏源电阻 50 Ohms, 50 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 400 mV
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 1 g
其它
发货限制：
ALD1101PAL 引脚图与封装图
ALD1101PAL引脚图
ALD1101PAL封装图
ALD1101PAL封装焊盘图
库存： 4
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 87.876386 | 87.88 |
| 10 | 79.331836 | 793.32 |
| 100 | 65.683649 | 6568.36 |
| 500 | 57.196224 | 28598.11 |
| 1000 | 50.319258 | 50319.26 |
品牌其他型号
ALD1101PAL品牌厂家：ALD
，所属分类： 射频晶体管
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