制造商型号： | ALD1107PBL |
制造商： | ALD |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ALD ALD1107PBL
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ALD1107PBL 中文资料
数据手册PDF
ALD1107PBL 规格参数
关键信息
制造商 Advanced Linear Devices
商标 Advanced Linear Devices
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 4 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 2 mA
漏源电阻 1.2 kOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 -
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Quad
晶体管类型 4 P-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 1.620 g
ALD1107PBL 引脚图与封装图
ALD1107PBL引脚图
ALD1107PBL封装图
ALD1107PBL封装焊盘图
库存： 154
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 82.756576 | 82.76 |
| 50 | 65.557168 | 3277.86 |
| 100 | 56.192213 | 5619.22 |
| 500 | 49.949077 | 24974.54 |
| 1000 | 42.768947 | 42768.95 |
| 2000 | 40.271419 | 80542.84 |
品牌其他型号
ALD1107PBL品牌厂家：ALD
，所属分类： 射频晶体管
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