制造商型号： | ALD1107SBL |
制造商： | ALD |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ALD ALD1107SBL
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ALD1107SBL 中文资料
数据手册PDF
ALD1107SBL 规格参数
关键信息
制造商 Advanced Linear Devices
商标 Advanced Linear Devices
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 4 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 2 mA
漏源电阻 1.2 kOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 -
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Quad
晶体管类型 4 P-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 338 mg
ALD1107SBL 引脚图与封装图
ALD1107SBL引脚图
ALD1107SBL封装图
ALD1107SBL封装焊盘图
库存： 611
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 62.337191 | 62.34 |
| 10 | 55.975965 | 559.76 |
| 25 | 52.918609 | 1322.97 |
| 100 | 42.33262 | 4233.26 |
| 250 | 39.980808 | 9995.20 |
| 500 | 37.628996 | 18814.50 |
| 1000 | 32.219828 | 32219.83 |
| 2500 | 31.749465 | 79373.66 |
| 5000 | 28.92729 | 144636.45 |
品牌其他型号
ALD1107SBL品牌厂家：ALD
，所属分类： 射频晶体管
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