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ALD1107SBL

ALD1107SBL

数据手册.pdf
Advanced Linear Devices 先进线性电子 分立器件

四P沟道配对 10.6V

GENERAL DESCRIPTION

The ALD1107/ALD1117 are monolithic quad/dual P-channel enhancement mode matched MOSFET transistor arrays intended for a broad range of precision analog applications. The ALD1107/ALD1117 offer high input

impedance and negative current temperature coefficient.

FEATURES

• Low threshold voltage of -0.7V

• Low input capacitance

• Low Vos 2mV typical

• High input impedance -- 1014Ωtypical

• Negative current IDS temperature coefficient

• Enhancement-mode normally off

• DC current gain 109

• Low input and output leakage currents

• RoHS compliant

ALD1107SBL中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 1.80 kΩ

极性 P-Channel

耗散功率 500 mW

漏源极电压Vds 10.6 V

输入电容Ciss 3pF @5VVds

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-14

外形尺寸

封装 SOIC-14

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

ALD1107SBL引脚图与封装图
ALD1107SBL引脚图

ALD1107SBL引脚图

ALD1107SBL封装图

ALD1107SBL封装图

ALD1107SBL封装焊盘图

ALD1107SBL封装焊盘图

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