制造商型号： | CSD87351Q5D |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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TI(德州仪器) CSD87351Q5D
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CSD87351Q5D 中文资料
数据手册PDF
CSD87351Q5D 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 32 A
漏源电阻 7.4 mOhms, 1.6 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 10 V
栅源极阈值电压 2.1 V, 1.15 V
栅极电荷 5.9 nC, 17 nC
耗散功率 12 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.1 ns
上升时间 16 ns
晶体管类型 2 N-Channel
外形参数
高度 1.5 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Synchronous Buck MOSFET Driver
单位重量 161.300 mg
库存： 9877
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 29.645503 | 29.65 |
| 10 | 26.616224 | 266.16 |
| 25 | 25.114531 | 627.86 |
| 100 | 21.39525 | 2139.53 |
| 250 | 20.089554 | 5022.39 |
| 500 | 17.578359 | 8789.18 |
| 1000 | 15.161927 | 15161.93 |
品牌其他型号
CSD87351Q5D品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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