制造商型号: | CSD87588NT |
制造商: | TI (德州仪器) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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TI(德州仪器) CSD87588NT
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CSD87588NT 中文资料
数据手册PDF
CSD87588NT 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 10.4 mOhms, 3.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.9 V
栅极电荷 3.2 nC, 13.7 nC
耗散功率 6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5 ns, 6.3 ns
正向跨导(Min) 43 S, 93 S
上升时间 31.6 ns, 36.7 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 10.2 ns, 20.1 ns
典型接通延迟时间 7.3 ns, 12.1 ns
外形参数
高度 0.48 mm
长度 5 mm
宽度 2.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Synchronous Buck NexFET Power Stage
单位重量 54.600 mg
CSD87588NT 引脚图与封装图
CSD87588NT引脚图
CSD87588NT封装图
CSD87588NT封装焊盘图
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
250 | 7.618819 | 1904.70 |
500 | 6.732916 | 3366.46 |
1250 | 5.315417 | 6644.27 |
2500 | 5.014544 | 12536.36 |
品牌其他型号
CSD87588NT品牌厂家:TI
,所属分类: 射频晶体管
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