制造商型号： | SI7900AEDN-T1-E3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SI7900AEDN-T1-E3
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SI7900AEDN-T1-E3 中文资料
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SI7900AEDN-T1-E3 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI7900AEDN-T1-E3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
TrenchFET®
零件状态
Active
FET 类型
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
26mOhm @ 8.5A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
900mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
16nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
功率 - 最大值
1.5W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8 Dual
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8 Dual
库存： 4748
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 20.310972 | 20.31 |
| 10 | 16.647521 | 166.48 |
| 100 | 12.950426 | 1295.04 |
| 500 | 10.976897 | 5488.45 |
| 1000 | 8.941812 | 8941.81 |
品牌其他型号
SI7900AEDN-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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