制造商型号： | SIZF906DT-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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SILICONIX(威世) SIZF906DT-T1-GE3
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SIZF906DT-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIZF906DT-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 3 mOhms, 900 uOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 49 nC, 200 nC
耗散功率 38 W, 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 40 ns, 30 ns
正向跨导（Min） 130 S, 130 S
上升时间 80 ns, 60 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns, 65 ns
典型接通延迟时间 20 ns, 45 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 337.318 mg
库存： 5990
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 19 | 10.349076 | 196.63 |
| 20 | 9.951131 | 199.02 |
| 50 | 9.553019 | 477.65 |
| 100 | 9.154908 | 915.49 |
| 300 | 8.756797 | 2627.04 |
| 500 | 8.35885 | 4179.43 |
| 1000 | 7.960739 | 7960.74 |
