制造商型号: | SIZ980DT-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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SILICONIX(威世) SIZ980DT-T1-GE3
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SIZ980DT-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIZ980DT-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 20 A, 60 A
漏源电阻 4.7 mOhms, 1.1 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V, 1.1 V
栅极电荷 18 nC, 77 nC
耗散功率 20 W, 66 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns, 10 ns
正向跨导(Min) 80 S, 155 S
上升时间 65 ns, 75 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 10 ns, 30 ns
典型接通延迟时间 15 ns, 35 ns
外形参数
高度 0.75 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 337.318 mg
库存: 1299
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 19.151831 | 19.15 |
10 | 17.125444 | 171.25 |
100 | 13.356859 | 1335.69 |
500 | 11.033927 | 5516.96 |
1000 | 8.710996 | 8711.00 |