制造商型号： | FGH75T65SQD-F155 |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-IGBT |
商品描述： | IGBT 650V 150A 375W TO247 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) FGH75T65SQD-F155
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FGH75T65SQD-F155 中文资料
数据手册PDF
FGH75T65SQD-F155 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 150 A
耗散功率 375 W
栅极—射极漏泄电流 +/- 400 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 FGH75T65SQD_F155
单位重量 6.390 g
FGH75T65SQD-F155 同类别型号
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 47.601222 | 47.60 |
| 10 | 42.731588 | 427.32 |
| 100 | 35.010991 | 3501.10 |
| 500 | 29.804498 | 14902.25 |
| 1000 | 25.136292 | 25136.29 |
品牌其他型号
FGH75T65SQD-F155品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-IGBT
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