FGH75T65SQD-F155

ON Semiconductor(安森美) 电子元器件分类

单晶体管, IGBT, N通道, 150 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 引脚

IGBT 沟槽型场截止 650 V 150 A 375 W 通孔 TO-247 长引线

立创商城:
650 V、75 A 场截止沟道 IGBT

得捷:
IGBT 650V 150A 375W TO247

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

FGH75T65SQD-F155中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

耗散功率 375 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 43 ns

额定功率Max 375 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 375000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

FGH75T65SQD-F155引脚图与封装图

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FGH75T65SQD-F155	ON Semiconductor 安森美	单晶体管, IGBT, N通道, 150 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 引脚	搜索库存