制造商型号： | SI3900DV-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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SILICONIX(威世) SI3900DV-T1-GE3
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SI3900DV-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI3900DV-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.4 A
漏源电阻 125 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 4 nC
耗散功率 1.15 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3900DV-GE3
单位重量 20 mg
库存： 1556
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 11.561174 | 11.56 |
| 10 | 9.497567 | 94.98 |
| 100 | 7.38299 | 738.30 |
| 500 | 6.257704 | 3128.85 |
| 1000 | 5.097608 | 5097.61 |
品牌其他型号
SI3900DV-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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