制造商型号: | CSD83325LT |
制造商: | TI (德州仪器) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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TI(德州仪器) CSD83325LT
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CSD83325LT 中文资料
数据手册PDF
CSD83325LT 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
产品 Power MOSFETs
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 5.9 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 950 mV
栅极电荷 8.4 nC
耗散功率 2.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 589 ns
正向跨导(Min) 36 S
上升时间 353 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 711 ns
典型接通延迟时间 205 ns
外形参数
高度 0.2 mm
长度 2.2 mm
宽度 1.15 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.500 mg
库存: 678
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 17.573733 | 17.57 |
10 | 15.744923 | 157.45 |
25 | 14.950533 | 373.76 |
100 | 12.280182 | 1228.02 |
品牌其他型号
CSD83325LT品牌厂家:TI
,所属分类: 射频晶体管
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