制造商型号： | CSD75208W1015T |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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TI(德州仪器) CSD75208W1015T
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CSD75208W1015T 中文资料
数据手册PDF
CSD75208W1015T 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.6 A
漏源电阻 150 mOhms, 285 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 1.9 nC
耗散功率 750 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 11 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 29 ns
典型接通延迟时间 9 ns
外形参数
高度 0.625 mm
长度 1.5 mm
宽度 1 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.700 mg
CSD75208W1015T 引脚图与封装图
CSD75208W1015T引脚图
CSD75208W1015T封装图
CSD75208W1015T封装焊盘图
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 250 | 4.940127 | 1235.03 |
| 500 | 4.365675 | 2182.84 |
| 1250 | 3.446579 | 4308.22 |
| 2500 | 3.216838 | 8042.10 |
| 6250 | 3.056026 | 19100.16 |
品牌其他型号
CSD75208W1015T品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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