制造商型号： | FDC3601N |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ON(安森美) FDC3601N
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FDC3601N 中文资料
数据手册PDF
FDC3601N 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 1 A
漏源电阻 500 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 5 nC
耗散功率 960 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4 ns
正向跨导（Min） 3.6 S
上升时间 4 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 8 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FDC3601N_NL
单位重量 36 mg
库存： 1798
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 8.104541 | 8.10 |
| 10 | 6.870158 | 68.70 |
| 100 | 4.776692 | 477.67 |
| 500 | 3.729835 | 1864.92 |
| 1000 | 3.031598 | 3031.60 |
品牌其他型号
FDC3601N品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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