锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

FDC3601N
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC3601N  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 1 A, 100 V, 500 mohm, 10 V, 2.6 V

PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A, Semiconductor

### MOSFET ,Fairchild Semiconductor

Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FDC3601N中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 1.00 A

针脚数 6

漏源极电阻 500 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 960 mW

阈值电压 2.6 V

输入电容 153 pF

栅电荷 3.70 nC

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 1.00 A

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 153pF @50VVds

额定功率Max 700 mW

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 960 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.7 mm

高度 1 mm

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDC3601N引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDC3601N
型号 制造商 描述 购买
FDC3601N Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC3601N  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 1 A, 100 V, 500 mohm, 10 V, 2.6 V 搜索库存