制造商型号： | NTHD4102PT1G |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) NTHD4102PT1G
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NTHD4102PT1G 中文资料
数据手册PDF
NTHD4102PT1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4.1 A
漏源电阻 120 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 8.6 nC
耗散功率 600 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 12 ns
正向跨导（Min） 7 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 5.5 ns
外形参数
高度 1.05 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 85 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥12.328726 总价：￥12.33 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 12.328726 | 12.33 |
| 10 | 11.059591 | 110.60 |
| 100 | 8.620438 | 862.04 |
| 500 | 7.121168 | 3560.58 |
| 1000 | 5.622019 | 5622.02 |
