制造商型号： | CSD86356Q5D |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | 25V POWERBLOCK N CH MOSFET |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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TI(德州仪器) CSD86356Q5D
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CSD86356Q5D 中文资料
数据手册PDF
CSD86356Q5D 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 4.5 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 10 V
栅源极阈值电压 950 mV
栅极电荷 7.9 nC
耗散功率 12 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
正向跨导（Min） 70 S
上升时间 26 ns
晶体管类型 PowerBlock
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 119 mg
库存： 2540
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
