制造商型号: | QH8MA4TCR |
制造商: | ROHM (罗姆) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET N/P-CH 30V TSMT8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ROHM(罗姆) QH8MA4TCR
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QH8MA4TCR 中文资料
数据手册PDF
QH8MA4TCR 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 9 A, 8 A
漏源电阻 12.3 mOhms, 22 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V, 2.5 V
栅极电荷 15.5 nC, 19.6 nC
耗散功率 2.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns, 22 ns
正向跨导(Min) 4.4 S, 5.5 S
上升时间 19 ns, 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 33 ns, 55 ns
典型接通延迟时间 8 ns, 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 QH8MA4
单位重量 10 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 2.660442 | 7981.33 |