制造商型号： | CSD87313DMS |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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TI(德州仪器) CSD87313DMS
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CSD87313DMS 中文资料
数据手册PDF
CSD87313DMS 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 17 A
漏源电阻 5.5 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 28 nC
耗散功率 2.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 13 ns, 13 ns
正向跨导（Min） 149 S, 149 S
上升时间 27 ns, 27 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 41 ns, 41 ns
典型接通延迟时间 9 ns, 9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 5.500 mg
库存： 1561
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 45 | 3.71948 | 167.38 |
| 50 | 3.570574 | 178.53 |
| 100 | 3.421812 | 342.18 |
| 300 | 3.273194 | 981.96 |
| 500 | 3.124289 | 1562.14 |
| 1000 | 2.975526 | 2975.53 |
品牌其他型号
CSD87313DMS品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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