制造商型号： | EMH2418R-TL-H |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 24V 9A EMH8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ON(安森美) EMH2418R-TL-H
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EMH2418R-TL-H 中文资料
数据手册PDF
EMH2418R-TL-H 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 24 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 12 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 4.4 nC
耗散功率 1.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 22.6 us, 22.6 us
正向跨导（Min） 4 S, 4 S
上升时间 170 ns, 170 ns
晶体管类型 2 N-channel
典型关闭延迟时间 17.5 us, 17.5 us
典型接通延迟时间 120 ns, 120 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存： 1000
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
品牌其他型号
EMH2418R-TL-H品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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