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SILICONIX(威世) SI7913DN-T1-GE3

SILICONIX(威世) SI7913DN-T1-GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

SI7913DN-T1-GE3

制造商:

SILICONIX (威世)

产品类别:

射频晶体管

商品描述:

MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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客服:

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SI7913DN-T1-GE3 中文资料

SI7913DN-T1-GE3 规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 7.4 A

漏源电阻 37 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 24 nC

耗散功率 2.8 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

外形参数

高度 1.04 mm

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI7913DN-GE3

单位重量 1 g

库存: 1750

货期:

工作日(7~10天)

最小起订:

27 个

整装:

¥10
单价:¥6.24872 总价:¥168.72
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

价格(含增值税)

数量 单价 总价
27 6.24872 168.72
50 6.24872 312.44
100 6.24872 624.87
300 6.129625 1838.89
500 6.070148 3035.07
1000 5.951053 5951.05
品牌其他型号
SI7913DN-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX ,所属分类: 射频晶体管 ,可在锐单商城现货采购SI7913DN-T1-GE3、查询SI7913DN-T1-GE3代理商; SI7913DN-T1-GE3价格批发咨询客服;这里拥有 SI7913DN-T1-GE3中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 SI7913DN-T1-GE3替代型号SI7913DN-T1-GE3数据手册PDF