SI7913DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.066 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.3 W
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids -7.40 A
上升时间 70 ns
下降时间 150 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1300 mW
封装参数
引脚数 8
封装 1212
外形尺寸
高度 1.04 mm
封装 1212
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI7913DN-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7913DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI7913DN-T1-GE3 场效应管, MOSFET, 双P沟道, -20V, 7.4A | 搜索库存 |