制造商型号: | SI4816BDY-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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SILICONIX(威世) SI4816BDY-T1-GE3
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SI4816BDY-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI4816BDY-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6.8 A, 11.4 A
漏源电阻 11.5 mOhms, 18.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 7.8 nC, 11.6 nC
耗散功率 1.4 W, 2.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 9 ns, 11 ns
正向跨导(Min) 30 S, 31 S
上升时间 9 ns, 9 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns, 31 ns
典型接通延迟时间 11 ns, 13 ns
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4816DY-T1-E3-S
单位重量 187 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥19.768774 总价:¥19.77 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 19.768774 | 19.77 |
10 | 17.791896 | 177.92 |
100 | 14.298624 | 1429.86 |
500 | 11.747861 | 5873.93 |
1000 | 9.73405 | 9734.05 |
品牌其他型号
SI4816BDY-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 射频晶体管
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