制造商型号： | FDMB3800N |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ON(安森美) FDMB3800N
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FDMB3800N 中文资料
数据手册PDF
FDMB3800N 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4.8 A
漏源电阻 32 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 5.6 nC
耗散功率 1.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5 ns
正向跨导（Min） 14 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 8 ns
外形参数
高度 0.8 mm
长度 3 mm
宽度 1.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 67 mg
库存： 4430
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 28.608448 | 28.61 |
| 10 | 18.235973 | 182.36 |
| 100 | 12.277156 | 1227.72 |
| 500 | 9.721671 | 4860.84 |
| 1000 | 8.899829 | 8899.83 |
品牌其他型号
FDMB3800N品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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