制造商型号： | DMG9926USD-13 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 20V 8A SOP8L |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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DIODES(美台) DMG9926USD-13
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DMG9926USD-13 中文资料
数据手册PDF
DMG9926USD-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 24 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 8.8 nC
耗散功率 1.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 21.7 ns
上升时间 12.6 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 64.8 ns
典型接通延迟时间 13.2 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 74 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2500 | 1.140685 | 2851.71 |
| 5000 | 1.067092 | 5335.46 |
| 12500 | 0.9935 | 12418.75 |
| 25000 | 0.941985 | 23549.63 |
| 62500 | 0.919907 | 57494.19 |
品牌其他型号
DMG9926USD-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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