制造商型号: | NTMD4N03R2G |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ON(安森美) NTMD4N03R2G
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NTMD4N03R2G 中文资料
数据手册PDF
NTMD4N03R2G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 60 mOhms, 60 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 8 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns, 10 ns
正向跨导(Min) 6 S, 6 S
上升时间 14 ns, 14 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns, 16 ns
典型接通延迟时间 7 ns, 7 ns
外形参数
高度 1.5 mm
长度 5 mm
宽度 4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 74 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥7.776432 总价:¥7.78 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 7.776432 | 7.78 |
10 | 6.795925 | 67.96 |
100 | 5.212464 | 521.25 |
500 | 4.120834 | 2060.42 |
1000 | 3.296645 | 3296.64 |