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ON(安森美) FDMS1D2N03DSD

ON(安森美) FDMS1D2N03DSD
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

FDMS1D2N03DSD

制造商:

ON (安森美)

产品类别:

射频晶体管

商品描述:

PT11N 30/12 & PT11N 30/12

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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客服:

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FDMS1D2N03DSD 中文资料

FDMS1D2N03DSD 规格参数

关键信息

制造商 onsemi

商标 onsemi

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 19 A, 37 A

漏源电阻 1.2 mOhms, 4 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 16 V

栅源极阈值电压 800 mV, 1 V

栅极电荷 33 nC, 117 nC

耗散功率 42 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 121.065 mg

库存: 3000

货期:

工作日(7~10天)

最小起订:

3000 个

整装:

¥10
单价:¥14.703668 总价:¥44111.00
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

价格(含增值税)

数量 单价 总价
3000 14.703668 44111.00
品牌其他型号
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