制造商型号: | FDMS1D2N03DSD |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | PT11N 30/12 & PT11N 30/12 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ON(安森美) FDMS1D2N03DSD
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FDMS1D2N03DSD 中文资料
数据手册PDF
FDMS1D2N03DSD 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 19 A, 37 A
漏源电阻 1.2 mOhms, 4 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 16 V
栅源极阈值电压 800 mV, 1 V
栅极电荷 33 nC, 117 nC
耗散功率 42 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 121.065 mg
库存: 3000
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 14.703668 | 44111.00 |
品牌其他型号
FDMS1D2N03DSD品牌厂家:ON
,所属分类: 射频晶体管
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