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FDMS1D2N03DSD

ON Semiconductor(安森美) 电子元器件分类

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 164 A, 30 V, 0.00073 ohm, 10 V, 1.5 V

Mosfet Array 2 N-Channel Dual Asymmetrical 30V 19A Ta, 70A Tc, 37A Ta, 164A Tc 2.1W Ta, 26W Tc, 2.3W Ta, 42W Tc Surface Mount 8-PQFN 5x6


欧时:
ON Semiconductor, FDMS1D2N03DSD


得捷:
POWERTRENCH POWER CLIP ASYMMETRI


立创商城:
FDMS1D2N03DSD


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 164 A, 730 µohm, PQFN, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 19A/37A 8-Pin PQFN EP T/R


FDMS1D2N03DSD中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

耗散功率 42 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 30 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerWDFN-8

外形尺寸

封装 PowerWDFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

FDMS1D2N03DSD引脚图与封装图
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