制造商型号: | SQJQ910EL-T1_GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK8X8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) SQJQ910EL-T1_GE3
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SQJQ910EL-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQJQ910EL-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 70 A
漏源电阻 8.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 46 nC
耗散功率 187 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7 ns
上升时间 4 ns
典型关闭延迟时间 33 ns
典型接通延迟时间 11 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 50 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 2000 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥14.073605 总价:¥28147.21 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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2000 | 14.073605 | 28147.21 |