制造商型号: | SIZ918DT-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SIZ918DT-T1-GE3
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SIZ918DT-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIZ918DT-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 16 A, 28 A
漏源电阻 12 mOhms, 3.7 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V, 1.2 V
栅极电荷 14 nC, 67.3 nC
耗散功率 29 W, 100 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 10 ns, 10 ns
正向跨导(Min) 47 S, 116 S
上升时间 12 ns, 22 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns, 40 ns
典型接通延迟时间 10 ns, 15 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIZ918DT-GE3
单位重量 337.318 mg
库存: 5730
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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SIZ918DT-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 射频晶体管
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