制造商型号： | CSD86360Q5D |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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TI(德州仪器) CSD86360Q5D
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CSD86360Q5D 中文资料
数据手册PDF
CSD86360Q5D 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 -
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V, 750 mV
栅极电荷 9.7 nC, 23 nC
耗散功率 13 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4.3 ns, 6.6 ns
正向跨导（Min） 113 S, 169 S
上升时间 20.4 ns, 14.8 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 14.5 ns, 29.3 ns
典型接通延迟时间 8.4 ns, 9.5 ns
外形参数
高度 1.5 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Synchronous Buck MOSFET Driver
单位重量 170 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥34.092257 总价：￥34.09 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 34.092257 | 34.09 |
| 10 | 30.659356 | 306.59 |
| 25 | 28.921597 | 723.04 |
| 100 | 24.64231 | 2464.23 |
| 250 | 23.138226 | 5784.56 |
| 500 | 20.246066 | 10123.03 |
| 1000 | 16.775167 | 16775.17 |
品牌其他型号
CSD86360Q5D品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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