制造商型号： | FDR8508P |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
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ON(安森美) FDR8508P
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FDR8508P 中文资料
数据手册PDF
FDR8508P 规格参数
属性
参数值
制造商型号
FDR8508P
制造商
ON(安森美)
商品描述
MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
零件状态
Obsolete
FET 类型
2 P-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
52mOhm @ 3A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
12nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
750pF @ 15V
功率 - 最大值
800mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
供应商器件封装
SuperSOT™-8
品牌其他型号
FDR8508P品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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