FDR8508P
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDR8508P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -3.00 A
漏源极电阻 40.0 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 800 mW
输入电容 750 pF
栅电荷 8.00 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 -30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 3.00 A
上升时间 14.0 ns
输入电容Ciss 750pF @15VVds
额定功率Max 800 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SSOT-8
外形尺寸
封装 SSOT-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDR8508P引脚图与封装图
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在线购买FDR8508P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDR8508P | Fairchild 飞兆/仙童 | 双P沟道逻辑电平MOSFET PowerTrench⑩ Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrench⑩ MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDR8508P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDR8508P 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SSOT P-Channel 30V 3A 40mohms 750pF | 当前型号 | 双P沟道逻辑电平MOSFET PowerTrench⑩ Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrench⑩ MOSFET | 当前型号 |
| 型号： SI4947ADY-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-SOIC Dual P-Channel 30V 3A 135mΩ | 功能相似 | Trans MOSFET P-CH 30V 3.9A 8Pin SOIC N T/R | FDR8508P和SI4947ADY-T1-E3的区别 |