制造商型号： | SQJ990EP-T1_GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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SILICONIX(威世) SQJ990EP-T1_GE3
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SQJ990EP-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQJ990EP-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 17 A, 34 A
漏源电阻 32.5 mOhms, 15.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 15 nC, 30 nC
耗散功率 27 W, 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 21 ns, 22 ns
正向跨导（Min） 17 S, 34 S
上升时间 3 ns, 3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns, 28 ns
典型接通延迟时间 8 ns, 12 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.13 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
库存： 2788
货期： | 工作日（7~10天） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：咨询客服 总价：咨询客服 | |
| 购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
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| 1+ ： 需询价 | ||
