制造商型号: | SQS966ENW-T1_GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET N-CHAN 60V |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) SQS966ENW-T1_GE3
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SQS966ENW-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQS966ENW-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 36 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 6.2 nC
耗散功率 27.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4.8 ns
正向跨导(Min) 2.8 S
上升时间 1.7 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 7.9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
SQS966ENW-T1_GE3 同类别型号
库存: 3025
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 10.62618 | 10.63 |
10 | 9.514139 | 95.14 |
25 | 9.029782 | 225.74 |
100 | 6.772337 | 677.23 |
250 | 6.707838 | 1676.96 |
500 | 5.740361 | 2870.18 |
1000 | 4.676137 | 4676.14 |