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SILICONIX(威世) SQ2318AES-T1_GE3

SILICONIX(威世) SQ2318AES-T1_GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

SQ2318AES-T1_GE3

制造商:

SILICONIX (威世)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CHAN 40V SOT23

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

国内现货
自营
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服务:

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SQ2318AES-T1_GE3 中文资料

SQ2318AES-T1_GE3 规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay / Siliconix

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 40 V

漏极电流 8 A

漏源电阻 31 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.5 V

栅极电荷 8.7 nC

耗散功率 3 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 5.7 ns

上升时间 8.4 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 12 ns

典型接通延迟时间 7.5 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

零件号别名 SQ2318AES-T1_BE3

单位重量 8 mg

库存: 有货

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥3.975273 总价:¥3.98

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 3.975273 3.98
10 3.4119 34.12
100 2.546008 254.60
500 2.000254 1000.13
1000 1.545639 1545.64
品牌其他型号
SQ2318AES-T1_GE3品牌厂家:SILICONIX ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购SQ2318AES-T1_GE3、查询SQ2318AES-T1_GE3代理商; SQ2318AES-T1_GE3价格批发咨询客服;这里拥有 SQ2318AES-T1_GE3中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 SQ2318AES-T1_GE3替代型号SQ2318AES-T1_GE3数据手册PDF