制造商型号: | SI7904BDN-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 射频晶体管 |
商品描述: | MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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客服: | |
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SILICONIX(威世) SI7904BDN-T1-GE3
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SI7904BDN-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI7904BDN-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 30 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 450 mV
栅极电荷 24 nC
耗散功率 17.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
外形参数
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7904BDN-GE3
单位重量 1 g
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥17.051306 总价:¥17.05 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 17.051306 | 17.05 |
10 | 15.234974 | 152.35 |
100 | 11.879078 | 1187.91 |
500 | 9.813152 | 4906.58 |
1000 | 7.747225 | 7747.23 |
品牌其他型号
SI7904BDN-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 射频晶体管
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