制造商型号： | STS10DN3LH5 |
制造商： | ST (意法半导体) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
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ST(意法半导体) STS10DN3LH5
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STS10DN3LH5 中文资料
数据手册PDF
STS10DN3LH5 规格参数
属性
参数值
制造商型号
STS10DN3LH5
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
STripFET™ V
零件状态
Active
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
10A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
21mOhm @ 5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
4.6nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
475pF @ 25V
功率 - 最大值
2.5W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装
8-SO
STS10DN3LH5 引脚图与封装图
STS10DN3LH5引脚图
STS10DN3LH5封装图
STS10DN3LH5封装焊盘图
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2500 | 5.26562 | 13164.05 |
品牌其他型号
STS10DN3LH5品牌厂家：ST
，所属分类： 射频晶体管
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