| | MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: STripFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: STripFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: STripFET™ III 安装类型: Surface Mount 工作温度: 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: STripFET™ III 安装类型: Surface Mount 工作温度: 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET 2P-CH 60V 3A 8-SOIC 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: STripFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET 2P-CH 60V 3A 8-SOIC 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: STripFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET 2P-CH 60V 3A 8-SOIC 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: STripFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET N/P-CH 30V 7A/4A 8SOIC 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: STripFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOIC 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: STripFET™ II 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOIC 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: STripFET™ II 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: STripFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: STripFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET N/P-CH 30V POWERFLAT 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: STripFET™ VI 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: PowerFlat™ (5x6) |
| | MOSFET N/P-CH 30V POWERFLAT 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: STripFET™ VI 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: PowerFlat™ (5x6) |
| | MOSFET N/P-CH 60V 4A/3A 8SOIC 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: STripFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET N/P-CH 60V 4A/3A 8SOIC 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: STripFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET N/P-CH 60V 4A/3A 8SOIC 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: STripFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: STripFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: STripFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: STripFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET 2P-CH 20V 5A 8SOIC 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: STripFET™ II 安装类型: Surface Mount 工作温度: 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET 2P-CH 20V 5A 8SOIC 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: STripFET™ II 安装类型: Surface Mount 工作温度: 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET 2N-CH 30V 32A/60A PWRFLAT 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: STripFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: PowerFlat™ (5x6) |
| | MOSFET 2N-CH 30V 32A/60A PWRFLAT 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: STripFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: PowerFlat™ (5x6) |
| | MOSFET 2 N-CH 60V 33A POWERFLAT 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: STripFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: PowerFlat™ (5x6) |
| | | | | 厂家: - 系列: - 安装类型: - 工作温度: - 封装/外壳: - 供应商器件封装: - |
| | MOSFET 2N-CH 30V 65A POWERFLAT 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: STripFET™ V 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: PowerFlat™ (5x6) |
| | MOSFET 2N-CH 30V 65A POWERFLAT 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: STripFET™ V 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: PowerFlat™ (5x6) |
| | MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: STripFET™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET 2N-CH 100V 20A PWRFLAT56 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: DeepGATE™, STripFET™ VII 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: PowerFlat™ (5x6) |
| | MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 5A 8SO 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: DeepGATE™, STripFET™ H6 安装类型: Surface Mount 工作温度: 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET 2P-CH 100V 13A PWRFLAT56 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: DeepGATE™, STripFET™ VI 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: PowerFlat™ (5x6) |
| | MOSFET 2P-CH 100V 13A PWRFLAT56 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: DeepGATE™, STripFET™ VI 安装类型: Surface Mount 工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: PowerFlat™ (5x6) |
| | MOSFET 2N-CH 450V 0.5A 8SOIC 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: SuperMESH3™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |
| | MOSFET 2N-CH 450V 0.5A 8SOIC 射频晶体管 | | | 厂家: - 系列: SuperMESH3™ 安装类型: Surface Mount 工作温度: 150°C (TJ) 封装/外壳: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供应商器件封装: 8-SO |